Gate driver singolo da 3A STGAP2GSN

Il gate driver singolo isolato da 3 A STGAP2GSN di STMicroelectronics eroga isolamento galvanico tra il canale di gate driving e i circuiti di interfaccia e controllo a bassa tensione. Il gate driver è caratterizzato da capacità da sorgente 2 A e una capacità sink di 3 A e uscite rail-to-rail, rendendo i dispositivi ideali per applicazioni di media e alta potenza come la conversione di potenza e inverter per azionamenti di motori industriali. Il dispositivo consente l'accensione e lo spegnimento ottimizzati in modo indipendente utilizzando resistori di gate dedicati.

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Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio
Package/involucro
Tensione di isolamento
Temperatura di lavoro minima
Temperatura di lavoro massima
Ritardo propagazione - Max
Tempo di salita
Tempo di caduta
Tensione di alimentazione - Max.
Tensione di alimentazione - Min.
Confezione
STMicroelectronics Gate driver isolati galvanicamente Galvanically isolated 3 A single gate driver for Enhancement mode GaN FETs
Scheda dati
1.239A magazzino
Nastro continuo
2,09 €
1,67 €
1,57 €
1,45 €
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1,33 €
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Mult.: 1
: 2.500
SMD/SMT SO-8 - 40 C + 125 C 93 ns 30 ns 30 ns 5.5 V 3.1 V Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Gate driver isolati galvanicamente Galvanically isolated 3 A single gate driver for Enhancement mode GaN FETs
Scheda dati
138A magazzino
Nastro continuo
2,17 €
1,65 €
1,52 €
1,38 €
Nastrati
1,18 €
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MouseReel disponibile
Min: 1
Mult.: 1
: 1.000
SMD/SMT SO-8W 5 kV - 40 C + 125 C 93 ns 30 ns 30 ns 5.5 V 3.1 V Reel, Cut Tape, MouseReel
STMicroelectronics Gate driver isolati galvanicamente Galvanically isolated 3 A single gate driver for Enhancement mode GaN FETs
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 25 settimane
1,26 €
1,24 €
Min: 800
Mult.: 800
5 kV Tube
STMicroelectronics Gate driver isolati galvanicamente Galvanically isolated 3 A single gate driver for Enhancement mode GaN FETs
Scheda dati
Tempo di consegna, se non a magazzino 25 settimane
0,869 €
0,86 €
Min: 2.000
Mult.: 2.000
Tube