EMD4DXV6 Digital Transistors ( BRTs)

onsemi EMD4DXV6 Digital Transistors ( BRTs) are designed to replace a single device and its external resistor bias network. The Bias Resistor Transistors (BRTs) integrate a single transistor with a monolithic bias network comprising two resistors - a series base resistor and a base-emitter resistor. These BRTs eliminate these individual components by integrating them into a single device. The EMD4DXV6 transistors feature a 50Vdc collector-base voltage, 50Vdc collector-emitter voltage, and 100mAdc collector current. These transistors support a -55°C to +150°C junction and storage temperature range.

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Configurazione Polarità transistor Resistenza di ingresso tipica Rapporto di resistenza tipico Stile di montaggio Package/involucro Collettore DC/Guadagno base hfe Min Tensione collettore-emettitore VCEO Max Corrente continua collettore Corrente CC di picco collettore Pd - Dissipazione di potenza Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Serie Confezione
onsemi Transistor digitali Dual Complementary NPN & PNP Digital 6.536A magazzino
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Dual NPN, PNP 47 kOhms 1, 0.21 SMD/SMT SOT-553-5 80 50 V 100 mA 100 mA 357 mW - 55 C + 150 C EMD4DXV6 Reel, Cut Tape, MouseReel
onsemi Transistor digitali Complementary Bipolar Digital Transistor (BRT)
4.000In ordine
Min: 1
Mult.: 1
: 4.000

Dual NPN, PNP 10 kOhms 0.21 SMD/SMT SOT-563-6 80 50 V 100 mA 357 mW - 55 C + 150 C EMD4DXV6 Reel, Cut Tape