Risultati: 8
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio Package/involucro Numero di canali Vds - Tensione di rottura drain-source Id - corrente di drain continua Rds On - Drain-source sulla resistenza Vgs - Tensione gate-source Vgs th - Tensione di soglia gate-source Qg - Carica del gate Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Pd - Dissipazione di potenza Modalità canale Nome commerciale
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 17 mohm G2 979A magazzino
720In ordine
18,45 €
13,78 €
11,91 €
11,27 €
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 97 A 17 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 89 nC - 55 C + 175 C 382 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 26 mohm G2 212A magazzino
72021/10/2027 previsto
13,61 €
10,36 €
8,63 €
7,69 €
7,19 €
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 69 A 25 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C 289 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 40 mohm G2 1.539A magazzino
240In ordine
10,70 €
7,74 €
6,45 €
5,74 €
5,37 €
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 48 A 40 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 39 nC - 55 C + 175 C 218 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 53 mohm G2 394A magazzino
480In ordine
8,88 €
4,83 €
4,46 €
4,45 €
4,34 €
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 38 A 53 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 30 nC - 55 C + 175 C 182 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 12 mohm G2 96A magazzino
1.920In ordine
24,62 €
19,71 €
17,05 €
16,13 €
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 129 A 12 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 124 nC - 55 C + 175 C Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 34 mohm G2 22A magazzino
960In ordine
11,01 €
6,10 €
5,73 €
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 55 A - 10 V, + 25 V 5.1 V 45 nC - 55 C + 175 C 244 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 78 mohm G2
1.680In ordine
7,92 €
5,41 €
4,46 €
3,97 €
3,72 €
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 28 A 78 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 21 nC - 55 C + 175 C 143 W Enhancement CoolSiC
Infineon Technologies MOSFET SiC CoolSiC MOSFET discrete 1200V, 22 mohm G2 Tempo di consegna 53 settimane
16,37 €
12,47 €
10,39 €
9,25 €
8,65 €
Min: 1
Mult.: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 80 A 22 mOhms - 10 V, + 25 V 5.1 V 71 nC - 55 C + 175 C 329 W Enhancement CoolSiC