750 V UJ4C/SC FET SiC nel package D2PAK-7L

I FET SiC Onsemi 750 V UJ4C/SC in un package D2PAK-7L sono disponibili in più opzioni di resistenza da 9 mΩ a 60 mΩ. Sfruttando un'esclusiva tecnologia FET SiC cascode in cui un JFET SiC normalmente acceso è nello stesso package di un MOSFET Si per produrre un FET SiC normalmente spento, questi dispositivi offrono un _RDS x Area Figure di Merit superiore, con conseguenti basse perdite di conduzione in un die di piccole dimensioni. Il package D2PAK-7L offre un'induttanza ridotta grazie a circuiti di connessione interni compatti che, insieme alla connessione alla sorgente Kelvin inclusa, garantiscono basse perdite di commutazione, consentendo un funzionamento a frequenze più elevate e una maggiore densità di potenza del sistema. Cinque connessioni sorgente ad ala di gabbiano parallele consentono bassa induttanza e alto utilizzo di corrente. Il collegamento a matrice sinterizzata d'argento offre una bassa resistenza termica per un'estrazione max. del calore su PCB standard e substrati IMS con raffreddamento a liquido.