Diodi Schottky al carburo di silicio DSCxA065LP

I diodi Schottky in carburo di silicio (SiC) DSCxA065LP di Diodes Incorporated presentano una migliore stabilità della corrente di dispersione inversa a temperature elevate, in un package DFN8080. Il robusto package DFN8080, conforme agli standard di settore, è realizzato in plastica utilizzando un composto di stampaggio “green”. La serie DSCxA065LP di Diodes Incorporated è ideale per l'impiego come raddrizzatori, diodi di ricircolo o diodi di blocco nella correzione del fattore di potenza (PFC), nei driver per motori industriali, negli inverter di potenza, negli alimentatori a commutazione (SMPS) e neigruppi statici di continuità (UPS).

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Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS Modello ECAD Stile di montaggio Package/involucro Configurazione If - Corrente diretta Vrrm - Tensione inversa ripetitiva Vf - Tensione diretta Ifsm - Sovracorrente diretta Ir - Corrente inversa Temperatura di lavoro minima Temperatura di lavoro massima Serie Confezione
Diodes Incorporated Diodi Schottky SiC SiC SBD 650V-1000V T-DFN8080-4 T&R 2.5K 2.497A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 250
: 2.500

SMD/SMT DFN8080-5 Single 4 A 650 V 1.33 V 29 A 110 nA - 55 C + 175 C DSCxxA065LP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Diodi Schottky SiC SiC SBD 650V-1000V T-DFN8080-4 T&R 2.5K 2.340A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 234
: 2.500

SMD/SMT DFN8080-5 Single 4 A 650 V 1.42 V 28 A 60 nA - 55 C + 175 C DSCxxA065LP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Diodi Schottky SiC SiC SBD 650V-1000V T-DFN8080-4 T&R 2.5K 2.487A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 250
: 2.500

SMD/SMT DFN8080-5 Single 6 A 650 V 1.35 V 38 A 270 nA - 55 C + 175 C DSCxxA065LP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Diodi Schottky SiC SiC SBD 650V-1000V T-DFN8080-4 T&R 2.5K 2.497A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 250
: 2.500

SMD/SMT DFN8080-5 Single 8 A 650 V 1.33 V 47 A 100 nA - 55 C + 175 C DSCxxA065LP Reel, Cut Tape
Diodes Incorporated Diodi Schottky SiC SiC SBD 650V-1000V T-DFN8080-4 T&R 2.5K 1.242A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 124
: 2.500

SMD/SMT DFN8080-5 Single 10 A 650 V 1.35 V 55 A 190 nA - 55 C + 175 C DSCxxA065LP Reel, Cut Tape