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NTK3139P MOSFET di potenza singolo canale P
Il MOSFET di potenza singolo a canale P NTK3139P di onsemi è disponibile in un package SOT-723 compatto con protezione ESD integrata. Il package SOT-723 ha un ingombro inferiore del 44% ed è più sottile del 38% rispetto a un package SC-89. La tensione drain-to-source (VDSS) è valutata a -20 V e ha una corrente di drain continua (ID) nominale di -780 mA (TA = +25 °C). L'onsemi NTK3139P presenta un basso livello di soglia che consente una valutazione RDS(attiva) 1,5 V (VGS = 1,5 V ID = -100 mA) di 0,95 Ω (tipico). Il dispositivo onsemi può funzionare con un gate drive a basso livello logico. Le applicazioni tipiche includono la commutazione di carico/alimentazione, l'interfacciamento (commutazione logica) e la gestione della batteria per dispositivi elettronici portatili ultracompatti.
