Ultime novità per Driver di porta

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06.25.2026

- Il dispositivo può sostituire i fusibili meccanici e fornire energia in un'architettura di distribuzione intelligente.

onsemi CI FAD1100-F085 per gate drive di accensione

03.03.2026

- Comanda direttamente un IGBT di accensione e regola sia la corrente della bobina sia la scintilla risultante.

onsemi Driver ad alto livello a singolo canale NCV84003F

01.22.2026

- Il dispositivo viene utilizzato per commutare un'ampia varietà di carichi, come lampadine, solenoidi e altri attuatori.

onsemi Driver integrato e MOSFET NCP402045

03.05.2025

- Integra un driver MOSFET, un MOSFET lato alto e un MOSFET lato basso in un unico package.

onsemi Interruttori di potenza GaN in modalità potenziata NCP5892

03.04.2025

- Integra un driver ad alta frequenza e ad alte prestazioni e transistori GaN HEMT da 650 V in una singola struttura di interruttore.

onsemi Driver di porta NCV81071

02.07.2025

- Offrono due driver MOSFET a bassa tensione da 5 A progettati per erogare correnti di picco elevate.

onsemi Gate driver NCP303160A

02.07.2025

- Il driver e il MOSFET integrati dispongono di un monitoraggio della corrente integrato.

onsemi IC driver di gate per mezzo ponte FAD8253MX-1

11.12.2024

- Progettato per l'azionamento di IGBTs ad alta tensione e alta velocità con funzionamento fino a +1.200 V.

onsemi CI driver di porta a iniezione FAD1110 − F085

08.27.2024

- Progettato per azionare direttamente un IGBT di accensione e controllare la corrente e l’evento di scintilla della bobina.

onsemi Driver di porta a monte NCV51313

08.13.2024

- Driver da 130 V con capacità di pilotaggio sorgente di 2,0 A e dissipatore 3,0 A e per alimentatori e invertitori CC-CC.

onsemi Driver di porta a singolo canale isolati NCx51152

08.09.2024

- Progettati per commutazione rapida per azionare i MOSFET di potenza e gli interruttori di alimentazione MOSFET SiC.

onsemi Driver di porta a singolo canale isolati NCV51752

06.04.2024

- Progettati per commutazione rapida per azionare i MOSFET di potenza e gli interruttori di alimentazione MOSFET SiC.

onsemi Driver di porta a singolo canale isolati NCP51752

06.04.2024

- Progettati per commutazione rapida per azionare i MOSFET di potenza e gli interruttori di alimentazione MOSFET SiC.

onsemi Driver a porta flottante a singolo canale FAD31x1MXA

06.04.2024

- Automotive (AEC-Q100) gate drivers suitable for driving high-speed power MOSFETs up to 110V.

onsemi Pompe di calore

03.01.2024

- La pompa di calore costituisce una pietra angolare del passaggio globale verso un riscaldamento sicuro e sostenibile.

onsemi Gate driver NCP51313

02.21.2024

- Driver high-side da 130 V ad alte prestazioni progettati per inverter e alimentatori CC-CC.

onsemi Driver di porta IGBT NCV5703D

01.05.2024

- Dispone di un driver IGBT autonomo ad alta corrente e ad alte prestazioni per applicazioni ad alta potenza.

onsemi IC driver di gate automobilistico di lato alto FAD7171MX

07.08.2023

- Può pilotare MOSFET e IGBT ad alta velocità che funzionano fino a +600 V.

onsemi Driver di porta singolo NCP51105 a valle 2,6 A

06.27.2023

- Driver di porta a valle ad alta corrente progettato per pilotare IGBT e MOSFET di potenza.

onsemi Accoppiamento dei driver di porta con MOSFET EliteSiC

05.09.2023

- Portafoglio completo di driver di porta e MOSFET EliteSiC che, una volta accoppiati, migliorano le prestazioni termiche.

onsemi Driver a monte ottale NCV7755

02.07.2023

- Un driver integrato di grado automobilistico che offre otto interruttori a monte.

onsemi Driver a monte autoprotetto NCV84120

02.07.2023

- Un dispositivo a canale singolo completamente protetto progettato per commutare un'ampia gamma di carichi.

onsemi MOSFET protetti NCV84045

11.23.2022

- Driver a monte a canale singolo completamente protetti che commutano i carichi.

onsemi driver di raddrizzamento sincrono laterale NCP4307

11.23.2022

- Offrono alte prestazioni e sono personalizzate per controllare un MOSFET di raddrizzamento sincrono.

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Renesas Electronics Soluzioni GaN EPR da 240 W

07.07.2026

- Forniscono una soluzione CA/CC ad alta densità di potenza, supportando fino a 500 W su un ampio intervallo di VIN/VOUT.

onsemi NCV84003G High-Side eFuse

06.25.2026

- Il dispositivo può sostituire i fusibili meccanici e fornire energia in un'architettura di distribuzione intelligente.

STMicroelectronics Pre-driver MOSFET a 8 canali L98GD8E

05.29.2026

- Il dispositivo è configurabile per il controllo del carico a valle, a monte, di picco e sospensione e del ponte H.

RECOM Power CI, trasformatori e soluzioni discrete

04.24.2026

- Componenti ideali per applicazioni nel settore energetico, industriale e medicale.

RECOM Power RVP Primary-Side Power ICs

04.01.2026

- Supports input voltages up to 30V and is available in various topologies to meet system needs.

onsemi CI FAD1100-F085 per gate drive di accensione

03.03.2026

- Comanda direttamente un IGBT di accensione e regola sia la corrente della bobina sia la scintilla risultante.

Microchip Technology Driver trasformatori push-pull MCP14T0517

02.02.2026

- Progettato per alimentatori compatti e isolati che funzionano da un ingresso da 3 V CC a 5.5VDC.

Texas Instruments Driver di porta semiponteUCC2773x/-Q1

01.29.2026

- Fornisce una capacità di corrente sorgente di 3,5 A e di sink di 4 A, progettata per pilotare MOSFET di potenza e IGBTs.

onsemi Driver ad alto livello a singolo canale NCV84003F

01.22.2026

- Il dispositivo viene utilizzato per commutare un'ampia varietà di carichi, come lampadine, solenoidi e altri attuatori.

Texas Instruments Driver di porta lato basso UCC5713x/UCC5713x-Q1

12.24.2025

- Questi dispositivi sono in grado di pilotare efficacemente interruttori di potenza MOSFET, IGBT e SiC.

STMicroelectronics STDRIVEG612 600 V driver per gate a mezza ponte

12.19.2025

- Driver di porta a mezza ponte ottimizzati per il pilotaggio a 5 V di HEMT GaN in modalità migliorata.

STMicroelectronics Driver per gate a mezza ponte STDRIVEG212 220 V

12.19.2025

- Driver di porta a mezza ponte ottimizzati per il pilotaggio a 5 V di HEMT GaN in modalità migliorata.

Toshiba TB9084FTG Automotive Gate Driver IC

11.19.2025

- Designed for automotive brushless motors, equipped with a charge pump and several types of circuits.

Texas Instruments Gate driver UCC27302A/UCC27302A-Q1

11.19.2025

- Progettato per applicazioni di commutazione che richiedono una risposta rapida e un'elevata capacità di corrente.

STMicroelectronics Driver per tiristori isolato SMD STSID140-12

10.28.2025

- Progettato per fornire un innesco robusto ed efficiente per i tiristori di potenza nelle applicazioni industriali e di consumo.

Texas Instruments Driver di porta UCC21351x-Q1

10.09.2025

- Abilita alta efficienza, alta potenza, densità e robustezza in un'ampia varietà di applicazioni di alimentazione.

Texas Instruments Gate driver UCC27212A-Q1

10.09.2025

- Driver automotive progettato per un'alta efficienza e prestazioni robuste in varie applicazioni.

Infineon Technologies Circuiti integrati gate driver EiceDRIVER 1ED301xMC12I

09.30.2025

- Gate driver a canale singolo opto-compatibili, isolati galvanicamente per IGBT, Si o MOSFET SiC.

Texas Instruments FET GaN LMG3626 700 V 220 mΩ

09.29.2025

- Combina driver del gate, protezione e rilevamento della corrente in un unico package QFN da 8 mm x 5,3 mm.

Texas Instruments LMG2656 650 V GaN Power-FET a semiponte

09.09.2025

- Semplifica la progettazione, riduce il numero di componenti e consente di risparmiare spazio sulla scheda in un package QFN da 6 mm per 8 mm.

IXYS Driver di gate di lato basso IX4352NEAU

09.04.2025

- Progettato specificamente per pilotare MOSFET SiC e IGBT ad alta potenza.

STMicroelectronics Driver di porta half-bridge STDRIVEG211

08.28.2025

- Per il GaN in modalità di potenziamento a canale N e la sezione driver high-side è possibile sopportare una tensione fino a 220 V.

STMicroelectronics Gate driver a mezzo ponte STDRIVEG210

08.28.2025

- Per dispositivi GaN a canale N ad arricchimento e la sezione a monte del driver può sopportare un rail con tensione fino a 220V.

STMicroelectronics Pre-Driver MOSFET per applicazioni automotive L98GD8

08.18.2025

- Configurabili per il controllo del carico a valle, a monte, di picco e sospensione e del a mezzo ponte.

EPC EPC23102 100V 35A ePower™ Stage IC

08.01.2025

- Combines core blocks and eGaN® output FETs into a single monolithic IC in a 3.5mm x 5mm QFN package.

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