Ultime novità per MOSFET – Mouser Croazia

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onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVBYST0D8N08X

04.14.2026

- Ottimizzato per il funzionamento ad alta tensione e resiste a commutazioni rapide e sollecitazioni dovute a corrente elevata.

onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E

04.06.2026

- MOSFET a canale N doppio progettato con bassa Rg per applicazioni a commutazione rapida.

onsemi MOSFET di potenza a canale N doppio NVMFD5873NL

03.13.2026

- Progettato per progetti compatti ed efficienti, con ottime prestazioni termiche.

onsemi MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X

12.26.2025

- Questo dispositivo offre una bassa QRR e un diodo corpo a recupero morbido in un package TCPAK1012 (TopCool).

onsemi MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL

12.19.2025

- Progettato per design compatti ed efficienti, incluse prestazioni termiche elevate.

onsemi MOSFET a canale P a bassa/media tensione NTTFS007P02P8

11.25.2025

- Costruito con la tecnologia PowerTrench per prestazioni di commutazione a RDS(on) estremamente bassa e robustezza.

onsemi MOSFET per piccoli segnali FDC642P-F085

11.25.2025

- Offre una tecnologia trench ad alte prestazioni per una RDS(on) estremamente bassa e velocità di commutazione rapida.

onsemi MOSFET a canale N singolo NVD6824NL

11.20.2025

- Offrono bassa RDS(on), per ridurre al minimo le perdite di conduzione, ed elevata capacità di corrente.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVD5867NL

11.20.2025

- Presenta una tensione drain-to-source di 60 V, una resistenza drain-to-source di 39 mΩ ed è qualificato AEC-Q101.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5832NL

11.19.2025

- MOSFET ad alte prestazioni progettato per applicazioni a bassa tensione che richiedono una commutazione di potenza efficiente.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS5830NL

11.19.2025

- MOSFET di potenza a canale n singolo ad alto rendimento, progettato per applicazioni di gestione della potenza esigenti.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFWS0D4N04XM

11.16.2025

- Disponibili in un package SO8-FL da 5 mm x 6 mm con un design compatto e conformi allo standard AEC-Q101.

onsemi NTK3139P MOSFET di potenza singolo canale P

10.14.2025

- Disponibile in un package con un ingombro inferiore del 44% ed è più sottile del 38% rispetto a un package SC-89.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVNJWS200N031L

10.14.2025

- Il dispositivo ha un basso RDS(on) e una bassa soglia del gate ed è disponibile con un fianco bagnabile.

onsemi MOSFET T10 a bassa/media tensione

10.06.2025

- MOSFET a canale N singolo in 40 V e 80 V con prestazioni migliorate e efficienza del sistema potenziata .

onsemi MOSFET di potenza NTK3134N monostadio a canale N

09.08.2025

- Robusti MOSFET di potenza a canale N da 20 V e 890 mA ottimizzati per applicazioni di commutazione ad alta efficienza.

onsemi MOSFET di potenza singoli a canale P NxJS3151P

09.04.2025

- Ideali per progetti con vincoli di spazio in cui densità di potenza e affidabilità sono fondamentali.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVMFS4C03NWFET1G

06.23.2025

- Offre eccellenti prestazioni termiche e un basso RDS(on) in un compatto package PowerFLAT da 5 mm x 6 mm.

onsemi MOSFET di potenza a doppio canale N NVMFDx da 100 V

06.09.2025

- Presenta valori di RDS(on) ridotti e caratteristiche di commutazione rapide in un package DFN-8 che consente di risparmiare spazio.

onsemi MOSFET di potenza NTTFSSCH1D3N04XL T10 PowerTrench®

05.13.2025

- Progettato per gestire correnti elevate, aspetto fondamentale per le fasi di conversione di potenza DC-DC.

onsemi MOSFET NVBLS1D2N08X

04.28.2025

- Presenta un QRR basso, RDS(on)e QGper ridurre al minimo la perdita di driver e conduzione.

onsemi MOSFET NVTFWS1D9N04XM

04.28.2025

- Offre una bassa RDS(on) e bassa capacità in un piccolo package µ8FL 3,3 mm x 3,3 mm con certificazione AEC-Q10.

onsemi MOSFET NVTFWS003N04XM

04.28.2025

- Bassa capacità e RDS(on) in un package qualificato AEC-Q101 µ8FL di piccolo ingombro 3,3 mm x 3,3 mm.

onsemi MOSFET NVTFWS002N04XM

04.17.2025

- Presenta un RDS(on) e una capacità elettrica bassa in un piccolo package µ8FL di 3,3 mm x 3,3 mm qualificato AEC-Q101.

onsemi MOSFET NVMFWS0D45N04XM

04.17.2025

- 40 V, 469 A, singolo, canale N, MOSFET gate STD in package SO8FL.

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ROHM Semiconductor MOSFET Super giunzione (SJ) da 600 V

07.21.2026

- Opzioni di package compatte e a basso profilo che offrono un'eccellente dissipazione del calore.

Infineon Technologies MOSFET di potenza automotive OptiMOS ™ 7 da 100 V

05.27.2026

- Dispositivi avanzati a canale N progettati per la commutazione di potenza ad alta efficienza.

Texas Instruments MOSFET 2N7002L 6 V canale N

05.18.2026

- Progettati per minimizzare la resistenza in stato attivo mantenendo al contempo elevate prestazioni di commutazione.

onsemi MOSFET di potenza a canale N singolo NVBYST0D8N08X

04.14.2026

- Ottimizzato per il funzionamento ad alta tensione e resiste a commutazioni rapide e sollecitazioni dovute a corrente elevata.

iDEAL Semiconductor IS20M8R0S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

04.07.2026

- Low switching losses, high short-circuit withstand capability (SCWC), and comes in a TO-220 package.

onsemi MOSFET NTMFD0D9N02P1E

04.06.2026

- MOSFET a canale N doppio progettato con bassa Rg per applicazioni a commutazione rapida.

Toshiba MOSFET di potenza a canale N/canale P

03.31.2026

- Ideali per commutazione ad alta velocità, interruttori di gestione dell'energia, convertitori CC-CC e driver per motori.

STMicroelectronics MOSFET di potenza STL059N4S8AG

03.31.2026

- Un MOSFET di potenza a canale N in modalità di arricchimento da 40 V, progettato con tecnologia Smart STripFET F8.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 da 60 V

03.27.2026

- Offre prestazioni superiori rispetto agli OptiMOS 5 grazie alla robusta tecnologia dei MOSFET di potenza.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 25 V

03.27.2026

- Prestazioni ottimizzate per l'applicazione, che consentono prestazioni di picco per data center, server e IA.

iDEAL Semiconductor iS20M6R3S1P SuperQ™ 200V N-Channel Power MOSFET

03.24.2026

- Delivers ultra-low conduction and switching losses in a robust TO-220 package.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 8

03.17.2026

- Si tratta di MOSFET a canale N di livello normale da 80 V o 100 V con resistenza di accensione molto bassa [RDS(ON)].

onsemi MOSFET di potenza a canale N doppio NVMFD5873NL

03.13.2026

- Progettato per progetti compatti ed efficienti, con ottime prestazioni termiche.

Diotec Semiconductor DI009N10PQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 9A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI050N04BPT-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 40V and delivers 50A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI045N10PT-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 45A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DI040N10D1-AQ N-Channel Power MOSFET

03.10.2026

- Supports a drain‑source voltage of 100V and delivers 40A continuous drain current at 25°C.

Diotec Semiconductor DIJ2A7N90 N-Channel Power MOSFET

03.06.2026

- Supports a drain‑source voltage of 900V and delivers 2.7A at 25°C continuous drain current.

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 7 a canale N da 80 V

03.05.2026

- Dispositivi a canale N da 80 V, di livello standard, con resistenza termica superiore, in package PG‑TDSON‑8.

iDEAL Semiconductor iS20M5R5S1T 200V N-channel SuperQ™ Power MOSFETs

02.19.2026

- Features low switching losses, QSW, and EOSS, suitable for high-efficiency SMPS and motor drives.

IXYS MOSFET di potenza X4-Class

02.02.2026

- Offrono bassa resistenza in stato attivo e basse perdite di conduzione, con un'efficienza migliorata.

onsemi MOSFET di potenza a canale N da 80 V NVBYST0D6N08X

12.26.2025

- Questo dispositivo offre una bassa QRR e un diodo corpo a recupero morbido in un package TCPAK1012 (TopCool).

Infineon Technologies MOSFET di potenza OptiMOS™ 6 80 V

12.23.2025

- Imposta il benchmark del settore prestazioni con un'offerta di portafoglio ampio.

onsemi MOSFET a canale N doppio NVMFD5877NL

12.19.2025

- Progettato per design compatti ed efficienti, incluse prestazioni termiche elevate.

onsemi MOSFET per piccoli segnali FDC642P-F085

11.25.2025

- Offre una tecnologia trench ad alte prestazioni per una RDS(on) estremamente bassa e velocità di commutazione rapida.

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