Power MOSFETs

Diodes Incorporated offers a broad range of Power MOSFETs, enabling designers to select a device optimized for their end application, thus enabling next generation consumer, computer and communication product designs. The Diodes portfolio is ideally suited to meeting the circuit requirements of DC-DC conversion, load switching, motor control, backlighting, battery protection, battery chargers, audio circuits, and automotive applications.

Risultati: 1.445
Seleziona Immagine Codice Produttore Descrizione Scheda dati Disponibilità Prezzi (EUR) Filtra i risultati nella tabella per prezzo unitario in base alla quantità. Qtà RoHS
Diodes Incorporated MOSFET 20V N-Ch Enh Mode 12Vgss 80A .61W 64.990A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET N-CHANNEL P-CHANNEL SOT-563 237.325A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 3.000
: 3.000


Diodes Incorporated MOSFET Mosfet H-Bridge 60/-60V 1.8/-1.4A 42.101A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

Diodes Incorporated MOSFET 60V N-Ch Enh FET 20Vgss 33.3nC 2.0W 53.779A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET P-CHANNEL SOT-523 1.504.110A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 3.000
: 3.000


Diodes Incorporated MOSFET 70V P-Ch Enh FET 160Vgs 10V 250mOhm 17.666A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 1.000
: 1.000

Diodes Incorporated MOSFET N-Chan 100V MOSFET (UMOS) 4.249A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500
Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 8V-24V 10.940A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 340
: 2.000

Diodes Incorporated MOSFET PMOS SINGLE P-CHANNL 20V 10A 22.439A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 260
: 2.500

Diodes Incorporated MOSFET 30V P-Ch Enh Mode 30Vgss 6807pF 139nC 4.948A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 101V-250V PowerDI5060-8 T&R 2.5K 13.238A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 100
: 2.500

Diodes Incorporated MOSFET MOSFETBVDSS: 31V-40V 10.486A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 160
: 2.500
Diodes Incorporated MOSFET P-Ch ENH Mode FET -20V -6 20.984A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000

Diodes Incorporated MOSFET P-Ch Enh Mode FET VDSS -20V -12VGSS 18.401A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 480
: 3.000


Diodes Incorporated MOSFET MOSFETBVDSS: 8V-24V 19.756A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 650
: 10.000

Diodes Incorporated Transistor bipolari - BJT PNP Medium Power 4.949A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 230
: 4.000


Diodes Incorporated MOSFET N-Chnl 200V 21.710A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 400
: 3.000


Diodes Incorporated MOSFET 60V TRENCH MOSFET 20V VGS P-Channel 3.347A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500


Diodes Incorporated MOSFET 20V N-Ch 4.6 MOSFET w/low gate drive cap 4.645A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000


Diodes Incorporated MOSFET 100V N-Ch Enh FET 20Vgss 2.6A 1.2W 37.994A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 390
: 3.000

Diodes Incorporated MOSFET 100V 175c N-Ch FET 28mOhm 10V 55A 2.048A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 41V-60V PowerDI5060-8/SWP T&R 2.5K 3.368A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 2.500

Diodes Incorporated MOSFET 30V P-Ch Enh FET 20Vgss 0.9W -80A 8.651A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
: 3.000

Diodes Incorporated MOSFET P-Ch Enh Mode -30V Low Rdson -20Vgss 9.479A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 320
: 2.500

Diodes Incorporated MOSFET MOSFET BVDSS: 61V-100V TO252 T&R 2.5K 7.255A magazzino
Min: 1
Mult.: 1
Max.: 140
: 2.500