IXYS
IXYS Corporation è un fornitore globale di semiconduttori per la gestione dell'alimentazione con una gamma completa di soluzioni IC MOSFET di potenza, IGBT, bipolari e a segnale misto che garantiscono maggiore efficienza e costi energetici ridotti in un'ampia gamma di applicazioni di sistemi di alimentazione.
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IXYS Diodo raddrizzatore di uso generale DK610S3RP 1600 VRaddrizzatore a basso ingombro, ideale per l'assemblaggio automatizzato e adatto per applicazioni di controllo di fase CC.20.07.2026 -
IXYS Raddrizzatore DK010S3ARP da 1000 V e 10 APresenta giunzioni passivate in vetro per la stabilità potenziata ed è assemblato in un package DO-214AB.20.07.2026 -
IXYS MOSFET di potenza X4-ClassOffrono bassa resistenza in stato attivo e basse perdite di conduzione, con un'efficienza migliorata.02.02.2026 -
IXYS Diodi ad alta tensione e recupero rapido DPDiodi SCHOTTKY da 600 V o 1.200 V con bassa corrente di dispersione inversa e rapido tempo di recupero.20.01.2026 -
IXYS Relè a stato solido OptoMOS® CPC1343GRelè bidirezionali, normalmente aperti, da 60 V, 900 mA, con isolamento da 5000 V e commutazione rapida.10.12.2025 -
IXYS Relè a stato solido di blocco CPC1601M 1-Form-ARelè a bassa corrente operativa non isolato integrato in un package piccolo DFN da 3 mm x 3 mm con 8 pin.29.10.2025 -
IXYS MOSFET di potenza MMIX1T500N20X4 200 V X4-ClassCeramic-based isolated package improves overall Rth(j-s) and power handling capability.08.10.2025 -
IXYS MOSFET al carburo di silicio (SiC) IXSxNxL2KxQuesti dispositivi hanno un'alta tensione di blocco con bassa resistenza in stato di accensione [RDS(ON)].19.09.2025 -
IXYS Driver di gate di lato basso IX4352NEAUProgettato specificamente per pilotare MOSFET SiC e IGBT ad alta potenza.04.09.2025 -
IXYS MOSFET IXSJxN120R1K di potenza SiC da 1.200 VFino a 1.200 V di tensione di blocco con RDS(on) ridotta di 18 mΩ o 36 mΩ.27.08.2025 -
IXYS Relè normalmente aperti da 75 mA CPC1056NRelè a stato solido unipolare bidirezionale in un pacchetto SOP a quattro pin.14.08.2025 -
IXYS Driver di gate a singolo canale isolato IX3407BProvides a typical 7A peak source and sink output current on separate output pins.30.06.2025 -
IXYS Raddrizzatori per il settore automobilistico in silicio serie DxFeatures glass-passivated junctions, ensuring stable operation and high reliability.14.04.2025 -
IXYS Diodi SCHOTTKY SiC DCKPresentano un funzionamento ad alta frequenza e un'elevata capacità di corrente di sovraccarico.03.04.2025 -
IXYS Gate driver IXD0579MGate driver high-side e low-side ad alta frequenza da 100 V con diodo di bootstrap integrato.03.04.2025 -
IXYS Modulo a diodo tiristore MCMA140PD1800TB140A diode module, integrated with a planar passivated chip and offers long-term stability.25.03.2025 -
IXYS MOSFET di potenza IXFP34N65X2W650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.17.03.2025 -
IXYS MOSFET sic IXSA80N120L2-7MOSFET a singolo interruttore con dispositivo di grado industriale da 1.200 V, 30 mΩ, 79 A in package TO263-7L.06.03.2025 -
IXYS MOSFET SiC IXSA40N120L2-7Single-switch MOSFET that features 1200V, 80mΩ, 41A industrial-grade device in a TO263-7L package.06.03.2025 -
IXYS MOSFET di potenza IXFH46N65X2W650V, 69mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.27.02.2025 -
IXYS MOSFET di potenza IXFH34N65X2W650V, 100mΩ, X2 Class HiPerFET™ power MOSFET with N-channel enhancement mode.27.02.2025 -
IXYS MOSFET SiC IXSH80N120L2KHV1200V, 30mΩ, and 79A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.18.02.2025 -
IXYS MOSFET SiC IXSH40N120L2KHV1200V, 80mΩ, and 41A MOSFET, recommended for use in industrial switch mode power supplies.18.02.2025 -
IXYS Gate driver IXD2012NHigh-side and low-side high-speed gate driver switches up to 200V in bootstrap operation.18.02.2025 -
IXYS MOSFET miniBLOC IXTNx00N20X4Offrono una tensione nominale di 200 V, un intervallo di corrente da 340 A a 500 A e un package SOT-227B.28.11.2024